成果简介

1. 技术性能指 标：

( 1）漏电 流：测试条件Vin=5V， 典 型 值 0.5uA， 最 大 值 1uA；

(2） 钳 位 电 压：13V @ESD±8kV；

(3）插入损耗：测试条件 800- 2700MHz，典型值 -40dB，最大值 -45dB；

(4）静电 防护电压：测试条件 IEC61000-4-2 接触放电电压第 4 级标准，典型值：±15kV，最大值：±20kV。

2. 技术的创造性与先进性：

(1）创造性：器件在大 于 800MHz 频段的抗电磁干扰能力优于 35dB，ESD 保护能力大大高于国际电子协会对接触电压保护要求 最 高 级 别（IEC61000-4-2 的 第 4 级 标 准） 的 8KV， 该项指标属于国际一流水平；国内首家开发硅基薄膜 电感设计技术，使得器件可满足最新电子产品急需的 USB3.0、HDMI、MIPI、eSATA 等接口滤波，通过优 化设计，器件制造成本大幅降低，具有很强市场竞争力。

(2）先进性：基于目前成熟的半导体制作工艺和先 进的芯片级封装技术，从器件设计、制备工艺到系统封 装与测试三个芯片制造环节均形成了我们自己独特的关 键技术。经对比测试，该产品技术指标完全达到了该类 产品世界顶尖级半导体行业大佬 Onsemi 公司的国际 一流先进水平。

3. 技术的成熟程度，适用范围：已具备并掌握了独 立设计开发、工艺制造、封装与测试的技术和能力。为 各种高速电路尤其是射频类电路提供抗 EMI 滤波功能， 消除干扰杂波的影响 , 避免使用过程中因为静电导致电 路损坏，提高产品的稳定性。应用领域包括手机、笔记 本、MP3、数码摄像头、网络机顶盒及液晶电视等的 各种接口。4. 应用情况及存在的问题：已试用到金立手机、浪 潮等终端客户的手机和机顶盒，客户反馈效果已达到国 外公司一流技术水平，因产能所限，目前还不能及时大 批量供货。

成果成熟度

孵化或试生产阶段

成果完成单位

哈尔滨工大华生电子有限公司